Western DigitalSURABAYAPAGI.COM, Jakarta - Western Digital Corp mengumumkan bahwa teknologi NAND 3D generasi kelima, BiCS5, telah berhasil dikembangkan. Peluncuran teknologi ini menunjukkan kesuksesan perusahaan yang berkelanjutan dalam memberikan teknologi memori flash paling mutakhir.
BiCS5, dikembangkan dengan teknologi triple-level-cell (TLC) dan quad-level-cell (QLC) yang memberikan kapasitas, kinerja, dan reliabilitas yang luar biasa dengan harga yang kompetitif. Hal ini menjadikan BiCS5 teknologi yang ideal untuk menjawab pertumbuhan data eksponensial yang terkait dengan mobil yang terhubung, perangkat seluler, dan artificial intelligence.
Western Digital telah memulai produksi awal BiCS5 TLC dalam chip 512-gigabit (Gb). Saat ini, Western Digital sudah memasuki proses pengiriman produk-produk konsumen yang dibangun dengan teknologi baru. Produksi BiCS5 dalam volumekomersial yang signifikandiharapkan dapat dilakukan pada semester kedua tahun ini. BiCS5 TLC dan BiCS5 QLC akan tersedia dalam berbagai kapasitas memori, termasuk 1,33 terabit (Tb).
Senior Vice President of Memory Technology and Manufacturing Western Digital, Dr. Steve Paak berujar, memasuki ke tahap berikutnya, pendekatan baru untuk penskalaan NAND 3D sangat penting untuk terus memenuhi tuntutan peningkatan volume dan kecepatan data.
Kesuksesan produksi BiCS5 merupakan bukti dari kepemimpinan Western Digital yang berkelanjutan dalam teknologi memori flash dan eksekusi yang kuat untuk roadmap kami. Dengan memanfaatkan peningkatan baru pada teknologi multi-tier memory hole untuk meningkatkan densitas secara lateral serta menambahkan lebih banyak lapisan penyimpanan, kami telah meningkatkan kapasitas dan kinerja teknologi 3D NAND kami secara signifikan, dengan terus memberikan reliabilitas dan harga yang diharapkan oleh pelanggan kami," lanjutnya.
Dibangun dengan memanfaatkan berbagai teknologi baru dan inovasi-inovasi manufaktur, BiCS5 adalah densitas tertinggi Western Digital dan teknologi 3D NAND tercanggih hingga saat ini. Teknologi multi-tier memory hole generasi kedua meningkatkan proses rekayasa yang lebih baik, dan peningkatan sel 3D NAND lainnya secara signifikan serta meningkatkan densitas cell array secara horizontal di seluruh wafer.
Peningkatan "penskalaan lateral" ini dalam kombinasi dengan 112 lapisan kemampuan memori vertikal memungkinkan BiCS5 untuk menawarkan hingga 40 persen* bit kapasitas penyimpanan lebih banyak per wafer dibandingkan dengan teknologi Western-layer 96-layer BiCS4 serta mengoptimalkan biaya. Peningkatan desain baru juga mempercepat kinerja BiCS5 yang memungkinkan untuk menawarkan kinerja I/O hingga 50 persen lebih cepat dibandingkan dengan BiCS4.
Teknologi BiCS5 dikembangkan bersama dengan mitra teknologi dan manufaktur Kioxia Corporation. BiCS5 akan diproduksi di fasilitas fabrikasi bersama di Yokkaichi in Mie Prefecture, Jepang dan Kota Kitakami, Iwate Prefecture, Jepang.
Pengenalan teknologi BiCS5 dibangun di atas portofolio lengkap teknologi Western Digital NAND 3D untuk digunakan dalam data-centric elektronik pribadi, smartphone, perangkat IoT dan data center.indra
